PL51T103S28

芯片概述: PL51T103 是帶 ADC 功能集成真 EEPROM 的微控制器， 內(nèi)置高性能單周期 ET8051 內(nèi)核。該系列芯片具有多達(dá) 18 個(gè)雙向通用 I/O，支持 15 個(gè)中斷源（包括 2 個(gè)外部中斷）， 具有 4 個(gè)中斷優(yōu)先級(jí)。 為了提高可靠性和降，芯片內(nèi)置可靠的 定時(shí)器（WDT）、低電壓檢測(cè)（LPD）、低電壓復(fù)位（LVR） 功能模塊。優(yōu)秀的抗干擾和 ESD 保護(hù)，確保單片機(jī)能夠在 惡劣的電磁干擾環(huán)境下可靠地運(yùn)行。 芯片內(nèi)部集成高頻、低頻振蕩器，具有在不同工作模 式之間動(dòng)態(tài)切換的能力，從而優(yōu)化微控制器的操作并且減 少功耗。 為了減少功耗，芯片可以工作在三種低功耗模式下： 綠色 IDLE 模式、停止 STOP 模式和睡眠 SLEEP 模式；在低 功耗模式下，支持鍵盤(pán)快速喚醒。 芯片內(nèi)建完整的 UART0、UART1、SPI 及 I2C 接口，為 設(shè)計(jì)者提供一個(gè)與外部硬件通信的接口。 在存儲(chǔ)器方面，除了 16K 字節(jié)的 Flash 程序存儲(chǔ)器， 還包含一個(gè) 256 字節(jié)的 RAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、1K 字節(jié)的 XRAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和 256 字節(jié)的真 EEPROM 存儲(chǔ)器?？膳渲贸绦? 區(qū)、數(shù)據(jù)區(qū)讀出控制權(quán)限，同時(shí)程序區(qū)代碼加密擾碼存儲(chǔ)， 高安全級(jí)別地保護(hù)用戶程序及數(shù)據(jù)。 支持在芯片編程 ICP 功能，用戶可在應(yīng)用板上直接升 級(jí)程序區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)代碼。支持在芯片調(diào)試 ICD 功能，用戶 可在應(yīng)用板上直接調(diào)試程序。 為了方便用戶使用，聚元微提供在線調(diào)試燒寫(xiě)器和脫 機(jī)批量燒錄器

PL51T103S8   PL51T103S16    PL51T103n20    PL51T103T20  PL51T103B24  PL51T103B28  PL51T103S28  PL51T103S20    PL51T103

PL3365A  PL3365B  PL3365C    PL3366A  PL3366B   PL3366C  PL3367B  PL3367C   PL3368B  PL3368C  PL3368BE  PL3368CE

PL3369B  PL3369C   PL3369BE   PL3369CE   PL3376A  PL3376C

  PL3378  PL3378C   PL3379C

PL3322B  PL3323BS  PL3325BS   PL3325BE  PL3325BD  PL3326BS  PL3326BE  PL3326BD  PL3327BS  PL3327BE  PL3327BF  PL3327BD

PL3328BD  PL3329BD